Augstas-tīrības silīcija karbīda uzklāšanas gredzens/malas gredzens

Augstas -tīrības pakāpes silīcija karbīda pārklājuma gredzens, ko parasti dēvē par malas gredzenu vai fokusa gredzenu, ir galvenais patērējamais komponents galvenajās procesa kamerās, piemēram, ķīmiskā tvaiku pārklāšana (CVD) un kodināšana pusvadītāju ražošanā. Tas ir novietots ap elektrostatiskās patronas perifēriju, kas notur vafeles vai nu ciešā saskarē ar plāksnītes malu, vai saglabājot minūtes atstarpi no tās. Tās galvenās funkcijas ir noteikt vienmērīgu plazmas vai reaktīvo gāzu sadales zonu, aizsargāt patronu no piesārņojuma ar procesa blakusproduktiem un nodrošināt procesa vienmērīgumu vafeles malas reģionā. Tas tieši ietekmē plānās -plēves nogulsnēšanas vai kodināšanas vienmērīgumu, defektu biežumu un kopējo ražu visā plāksnē, it īpaši malās. Silīcija karbīda tīrības pakāpe, kas parasti norādīta kā 4N (99,99%) vai 5N (99,999%) un augstāka, ir būtisks tā veiktspējas un pielietojuma noteicošais faktors.

• Īpaši tīrs un zems piesārņojums: izgatavots no augstas -tīrības silīcija karbīda pulvera, kura standarta klases ir 4N (99,99%) un augstākas-5N (99,999%), tas nodrošina minimālu metālisku piemaisījumu izdalīšanos augstas-temperatūras plazmas vidē, novēršot vafeļu piesārņojumu. Izvēle starp 4N un 5N ir atkarīga no konkrētā pusvadītāju procesa jutības pret piemaisījumu līmeņiem.
• Īpaši augsta{0}}temperatūras izturība: ar kušanas temperatūru līdz 2700 grādiem, tas var stabili darboties ilgu laiku parastā pusvadītāju procesa temperatūrā (bieži vien pārsniedzot 600 grādi) bez deformācijas vai veiktspējas pasliktināšanās. Šī īpašība ir raksturīga gan 4N, gan 5N klasei.
• Lieliska izturība pret plazmas kodināšanu: ļoti korozīvā fluora- vai hlora-bāzētā plazmas vidē silīcija karbīdam ir ļoti zems kodināšanas ātrums, kas nodrošina ievērojami ilgāku kalpošanas laiku salīdzinājumā ar tādiem materiāliem kā kvarcs vai alumīnija oksīds.
• Laba siltumvadītspēja un elektriskā vadītspēja: tās siltumvadītspēja ir tuva metālu siltumvadītspējai, palīdzot temperatūras viendabīgumam vafeles malās. Tam ir arī regulējama elektrovadītspēja, kas palīdz stabilizēt plazmas apvalku un optimizēt procesa vienmērīgumu.
• Augsta cietība un nodilumizturība: tā augstā Mosa cietība nodrošina izturību pret daļiņu eroziju un mehānisku nodilumu apstrādes laikā, saglabājot virsmas gludumu.
• Augsta mehāniskā izturība: tas saglabā struktūras integritāti augstā temperatūrā un termiskā cikla sprieguma apstākļos, novēršot lūzumu.

• Materiāla tīrības pakāpe: definēta kā 4N (99,99%) un 5N (99,999%). Kopējais metālisko piemaisījumu saturs parasti ir mazāks par 100 ppm 4N un 10 ppm vai mazāks 5N, un galvenie piesārņotāji, piemēram, nātrijs, dzelzs un kalcijs, tiek kontrolēti daļās uz miljardu (ppb), īpaši 5N materiālam.
• Blīvums un porainība: augsta-blīvuma saķepināšana ir standarta, tilpuma blīvums ir lielāks par 3,10 g/cm³ un ļoti zema atvērtā porainība (< 0.1%) to prevent gas permeation and particle retention.
• Pretestība: regulējama diapazonā atbilstoši procesa vajadzībām, parasti no 0,1 līdz 100 Ω·cm, lai izpildītu dažādas prasības elektrostatiskajai vadībai un plazmas savienojumam.
• Termiskās izplešanās koeficients (CTE): salīdzinoši zems (aptuveni 4,0 x 10⁻⁶ /K), tuvu silīcija plāksnīšu koeficientam, nodrošinot labu atbilstību termiskās cikla laikā un samazinot stresu.
• Virsmas raupjums: precīzi pulēts līdz virsmas raupjumam Ra, kas parasti ir mazāks par 0,4 μm. Gluda virsma samazina daļiņu saķeri un atvieglo tīrīšanu.
• Izmēru precizitāte: nodrošina ārkārtīgi augstu ģeometrisko precizitāti iekšējam/ārējam diametram, plakanumam un paralēlismam (parasti ar pielaidēm ±0,05 mm robežās), nodrošinot perfektu saderību ar vafeli un patronu.
• Graudu izmērs: smalka{0}}graudaina struktūra (vidējais graudu izmērs parasti ir mazāks par 5 μm) palīdz uzlabot materiāla mehānisko izturību un viendabīgumu pret koroziju.

Augstas -tīrības pakāpes silīcija karbīda uzklāšana/malu gredzens ir neaizstājams komponents progresīvā pusvadītāju ražošanā, un materiāla kvalitātes izvēli (4N pret{2}}N) nosaka procesa prasības:

Ķīmiskā tvaiku pārklāšana (CVD) un atomu slāņa pārklāšana (ALD): nodrošina vienmērīgu plēves biezumu un īpašības pie vafeles malas.. 5N pakāpe bieži vien ir obligāta vismodernākās loģikas un atmiņas ierīču pārklāšanai, jo tā ir īpaši-zema metāla piesārņojuma.

Sausā kodināšana: Precīzi kontrolē kodināšanas profilu pie vafeles malas, vienlaikus aizsargājot elektrostatisko patronu. Gan 4N, gan 5N tiek plaši izmantoti, un 5N ir priekšroka ļoti jutīgiem kodināšanas procesiem progresīvos mezglos.

Plazmas tīrīšana: palīdz uzturēt stabilu plazmas robežu. 4N pakāpe var būt pietiekama daudziem tīrīšanas darbiem.

Uzlaboti procesa mezgli: ražojot loģiskās mikroshēmas 28 nm un zemākas un uzlabotas atmiņas mikroshēmas (3D NAND, DRAM), 5 N (99,999%+) augstas -tīrības silīcija karbīda ārkārtējā tīrība parasti ir standarts, lai novērstu defektus un nodrošinātu ražīgumu.

Salikti pusvadītāji: GaN, SiC{0}}barošanas un RF ierīču ražošanā parasti tiek izmantots 4 N augstas-tīrības silīcija karbīds, kas šiem lietojumiem nodrošina izcilu veiktspējas līdzsvaru, augstu -temperatūras izturību un izmaksu{4}}efektivitāti.

Populāri tagi: augstas-tīrības silīcija karbīda uzklāšanas gredzens/malas gredzens, augstas-tīrības silīcija karbīda uzklāšanas gredzens/malu gredzenu ražotāji, piegādātāji, rūpnīca