Silīcija karbīda nesēja disks

Silīcija karbīda keramikas nesējplāksnes tiek ražotas no augstas -tīrības silīcija karbīda (SiC) izejvielām, izmantojot tādus procesus kā reakcijas saķepināšana (ar reakcijas palīdzību saistīts silīcija karbīds), bezspiediena saķepināšana (saķepināts silīcija karbīds) vai pārkristalizācija (pārkristalizēts silīcija karbīds /C). Pašam SiC materiālam ir spēcīgas kovalentās saites un stabila struktūra, kas nodrošina nesējplāksnēm izcilas fizikālās un ķīmiskās īpašības (silīcija karbīda īpašības). Tos parasti izmanto, lai aizstātu tradicionālos materiālus, piemēram, kvarcu un alumīnija oksīdu, jo īpaši jomās, kurās nepieciešami īpaši augsti tīrības, temperatūras izturības un termiskā triecienizturības standarti.

• Augsta-temperatūras pretestība: spēj stabili un ilgstoši darboties vidē, kas pārsniedz 1600 grādus, ar īstermiņa-toleranci, sasniedzot 1650 grādus vai augstāku. Piemērots īpaši-augstas temperatūras keramikas (īpaši augstas temperatūras keramikas) pielietojuma scenārijiem.
• Lieliska siltumvadītspēja: silīcija karbīda augstā siltumvadītspēja veicina ātru un vienmērīgu siltuma pārnesi, samazinot temperatūras gradientus procesu laikā.
• Augsta cietība un nodilumizturība: ar Mosa cietību, kas ir tuvu 9,5, tā ir lieliska{1}}nodilumizturīga keramika, izturīga pret nodilumu un daļiņu piesārņojumu.
• Spēcīga termiskā trieciena izturība: zemā termiskās izplešanās koeficienta dēļ tas var izturēt krasas temperatūras izmaiņas bez plaisāšanas.
• Ķīmiskā inerce: izturīgs pret skābju un sārmu koroziju un maz ticams, ka reaģēs ar lielāko daļu procesa gāzu vai materiālu. Silīcija karbīda ķīmiskais sastāvs ir stabils.
• Augsta tīrība: materiālam ir blīva struktūra, piemēram, saķepināts SiC, ar gludu virsmu, kas samazina piemaisījumu adsorbciju, padarot to piemērotu augstas{0}}tīrības procesu vidēm.

• Pusvadītāju rūpniecība: izmanto silīcija plāksnīšu pārnēsāšanai augstas -temperatūras procesos, piemēram, difūzijā, oksidācijā, atkvēlināšanā un CVD. Izmanto arī kā SiC substrātu silīcija plāksnīšu epitaksijai.
• Fotoelementu rūpniecība: kalpo kā nesējsubstrāts saules bateriju saķepināšanas un pārklāšanas procesos.
• LED ražošana: izmanto MOCVD reaktoros, lai pārvadātu safīra substrātus.
• Precīza keramikas saķepināšana: darbojas kā krāsns plaukts vai saķepinātājs elektroniskās keramikas, strukturālās keramikas un keramikas matricas kompozītmateriālu saķepināšanai augstā temperatūrā{0}}.
• Rūpnieciskās sastāvdaļas: plaši izmanto mehānisko blīvgredzenu, gultņu, sprauslu, bukses / bukses, aizsargcaurules / termopāra caurules un citu SiC komponentu ražošanā.
• Ugunsizturīgi materiāli: kalpo kā uzlabots ugunsizturīgs materiāls, ko izmanto krāsns apšuvumam.
• Zinātniskā izpēte un testēšana: darbojas kā atbalsta ierīces paraugs augstas temperatūras{0}}krāsnīs un materiālu testēšanā.

Populāri tagi: Silīcija karbīda nesējdisku, silīcija karbīda nesējdisku ražotāji, piegādātāji, rūpnīca